614 / 2019-03-15 22:41:49
A 0.75GHz-1.75GHz SiGe LNA for Cryogenic Application
SiGe HBT, cryogenic environment, low noise amplifier, impendence matching, noise figure
终稿
Yiqun Liu / Xi'an Jiaotong University
Dan Li / Xi'an Jiaotong University
Li Geng / Xi'an Jiaotong University
Haiwen Liu / Xi'an Jiaotong University
A 0.75GHz-1.75GHz SiGe LNA for cryogenic application is presented. At room temperature(300K), the LNA achieves 1GHz bandwidth, 17dB gain and 1.75dB noise figure, while consuming 1.8mA from a 2.8V power supply. At cryogenic temperature(77K), the LNA achieves 16dB gain and 1.5dB noise figure from 0.75GHz to 1.75GHz with good impendence matching. The stability of the relevant passive devices and FR4 PCB material is verified to pave road for cryogenic circuit design.
重要日期
  • 会议日期

    06月12日

    2019

    06月14日

    2019

  • 06月12日 2019

    初稿截稿日期

  • 06月14日 2019

    注册截止日期

承办单位
Xi'an University of Technology
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