404 / 2019-02-04 13:06:00
Performance Enhanced a-Si:H TFTs for 8K Display by Adopting Corrosion Barrier Layer
A-Si:H thin film transistors (TFTs); contact resistance (RC); TLM
终稿
Chunming Liu / Peking University Shenzhen Graduate School
A novel method of reducing the contact resistance (RC) is presented by adding a corrosion barrier layer between n+ a-Si and source/drain electrodes. The performance of novel TFTs is greatly improved by 35% and RC are effectively decreased from 17.43 Ω·m to 2.97 Ω·m.
重要日期
  • 会议日期

    06月12日

    2019

    06月14日

    2019

  • 06月12日 2019

    初稿截稿日期

  • 06月14日 2019

    注册截止日期

承办单位
Xi'an University of Technology
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