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44 / 2016-10-08 20:15:28
硅基集成锗PIN探测器的制备
11451
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宋金汶 / 武汉光电国家实验室
夏金松 / 武汉光电国家实验室
硅基光互联中一个重要的组成部分就是高速的硅基探测器，而锗探测器具有与硅基COMS工艺兼容、响应波段覆盖通信波段、有着良好的电学性能等优势，成为目前制备硅基集成光电探测器的重要方案之一。本文通过分子束外延实现了低缺陷密度、高掺杂浓度的硅基锗薄膜材料，并成功制备了高掺杂浓度的PIN硅基集成锗探测器，初步测试了器件的IV曲线。结果显示半径为40 μm的PIN探测器器件在-0.5 V偏压下的暗电流为12 μA。
重要日期

  • 会议日期

    11月16日

    2016

    至

    11月18日

    2016

  • 10月15日 2016

    初稿截稿日期

  • 11月18日 2016

    注册截止日期

主办单位
中国光学工程学会
中国宇航学会光电技术专业委员会
红外与微光技术应用产业联盟
承办单位
中国光学工程学会
中国宇航学会光电技术专业委员会
红外与微光技术应用产业联盟
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