闪电回击通道电晕鞘的导电特性是雷电物理和防雷研究领域的共同关注的问题。利用无狭缝摄谱仪记录的多回击负地闪和快天线采集的电场变化波形，结合等离子体输运理论，得到电导率沿回击通道径向的分布，估算电晕鞘半径，讨论电晕鞘半径对先导通道存储电荷量的依赖性。电导率高于10⁴ S/m的高导电性通道的平均半径在1.8 cm左右，相应的温度在20000 K左右。这正好反映了回击载流通道的特征。回击通道电导率随半径的增加急剧下降到500 S/m，之后缓慢下降，与高导电性的载流通道核相比，对应低电导率（<500 S/m）的半径范围比较大。对于整个回击通道，低电导率的通道半径远大于高导电性的载流通道半径。在远离通道核心处，电导率的衰减梯度急剧减小，衰减规律也不同于载流通道核心附近的衰减规律。这也证实回击通道核以外，随着半径增加，电晕鞘通道中电荷密度逐渐减小。依据此分布估算的回击电晕鞘半径范围在3.34-19.10 cm之间，发现回击电晕鞘半径与先导电荷量和通道的可视半径有很好的正相关关系。
 

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