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双极高能脉冲磁控溅射特性调控及其沉积速率分析
编号：152 访问权限：仅限参会人 更新：2023-04-09 15:01:07 浏览：544次 口头报告

报告开始：暂无开始时间（Asia/Shanghai）

报告时间：暂无持续时间

所在会场：[暂无会议] [暂无会议段]

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摘要
双极高能脉冲磁控溅射技术(BHiPIMS)用于实现等离子体中离子加速，可提高薄膜的沉积速率。采用分析模型进一步评价了BHiPIMS的沉积速率。通过对正脉冲（Kick pulse）相关参数的调制，研究了正脉宽、正脉冲电压对铜薄膜的沉积速率、形貌、结构和力学性能的影响，比较了与传统偏压作用的差异，更好地了解BHiPIMS工艺参数与涂层性能之间的相关性。结果表明100us正脉宽、50V正脉冲电压得到的沉积速率最高。在恒定正脉冲电压条件下，随着正脉宽的增加，沉积速率达到稳定。在恒定正脉宽条件下，随着脉冲电压的增加，沉积速率先增加后降低。薄膜结合力明显提高，电阻率降低，拉应力逐渐转变为压应力。
 
关键词
BHiPIMS；沉积速率；Cu膜；性能
报告人
白雪冰
东南大学

稿件作者
BaiXuebing Southeast University
CaiQun Southeast University
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重要日期

  • 会议日期

    04月21日

    2023

    至

    04月23日

    2023

  • 04月20日 2023

    初稿截稿日期

  • 04月23日 2023

    注册截止日期

主办单位
中国机械工程学会表面工程分会
承办单位
武汉材料保护研究所有限公司
特种表面保护材料及应用技术国家重点实验室
协办单位
中国科学院兰州化学物理研究所
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
中国科学院上海硅酸盐研究所
中国科学院金属研究所
广东省新材料研究所
大连理工大学
西安交通大学
北京科技大学
西南交通大学
哈尔滨工业大学
联系方式
  • 段金弟（中国机械工程学会表面工程分会）
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