C/SiC陶瓷基复合材料具有较好的高温力学性能，是航空航天领域重要的热结构材料之一。采用化学气相渗透法（CVI）制备C/SiC，在基体内部往往存在孔洞缺陷，不仅影响材料的力学性能，且在高温应力氧化环境下成为氧化性气氛扩散的通道，加速材料的氧化进程。

    为了研究孔洞缺陷对C/SiC复合材料性能的影响，需要对缺陷的尺寸和分布进行精确的表征，建立准确的材料细观结构模型。本文利用μ-XCT（EasyTom 150型微米CT）对二维平纹编织C/SiC试样进行扫描分析，基于CT切片数据中各组分灰度值的统计结果，利用交互式阈值分割法将切片图像区域分别定义为纤维（色阶阈值25472~28360）、基体（色阶阈值≥28470）和孔洞（色阶阈值≤25472），并采用AVIZO软件建立材料的三维显微结构模型。对所识别的孔洞，定义形状参数为孔洞表面积与等体积球面表面积之比，并计算每个缺陷的体积含量。

    通过重构模型和缺陷分析发现：孔洞缺陷含量为4.6％，且孔洞缺陷分布大多集中在远离材料原始表面的中心位置；孔洞缺陷的体积含量分布符合Weibull分布。缺陷以小体积缺陷为主。缺陷形状参数分布符合Weibull分布，当形状参数较大时，则表明相对表面积较大，对材料的应力氧化性能有较大影响。研究结果对于了解C/SiC制备缺陷的分布特征具有重要意义，可为建立材料缺陷与性能之间的关联关系奠定基础。