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AlTiCrVZr高熵合金表面预制氧化物层的结构调控 与高温抗氧化性能研究

难熔高熵合金；微弧氧化；电参数；微观结构；高温抗氧化性能

       难熔高熵合金具有优异的室温与高温力学性能，但因其多含有V、Mo或W等易形成挥发性氧化物的元素而导致高温抗氧化性能差，限制了工程化应用。为了抑制V元素挥发以提升AlTiCrVZr高熵合金的高温抗氧化性能，通过调控电参数在其表面制备了微弧氧化层；利用SEM+EDS、XPS等对陶瓷层微观形貌及成分进行表征，并对比评价了800℃下的高温抗氧化性能。结果表明：随电压增加，微弧氧化层粗糙度先减小后增大，420V制备陶瓷层尤为致密光滑；当电压恒定时，高频率低占空比制备微弧氧化层更加致密，微孔数量少且分布均匀；电压为420V、频率为800Hz、占空比为6%制备微弧氧化层的高温抗氧化性最佳（氧化速率为3.92 mg/cm²·h），明显优于高熵合金基体；微弧氧化层所含有的Al₂O₃、TiO₂、Cr₂O₃、ZrO₂以及SiO₂等多种氧化物可有效抑制氧的内扩散，从而提升基体合金的高温抗氧化性能。