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铜基铌薄膜的PECVD制备及表征
编号：47
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更新：2020-10-19 10:24:20 浏览：799次
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摘要
纯铌射频超导腔由于具有更高的加速梯度被用于强流重离子加速器、加速器驱动嬗变研究等大科学装置中，为了降低纯铌腔的运行成本，增加导热性，铜基铌薄膜腔被发展。本文采用等离子体增强的化学气相沉积技术(PECVD)，使用NbCl5作为前驱体，H2作为还原剂，制备了均匀的致密铜基铌薄膜样片，经过SEM、XRD、XPS、EDX表征发现PECVD技术制备的薄膜质量较好，且可明显降低薄膜生长温度，表明了PECVD技术在射频超导薄膜制备方面的巨大潜力，为接下来铜基铌薄膜射频超导腔制备奠定基础。
关键词
射频超导，PECVD，薄膜生长
报告人
同同朱
无 中国科学院近代物理研究所 敏李
无 四川大学 安东吴
无 中国科学院近代物理研究所 峰潘
无 中国科学院近代物理研究所 明路
无 中科院近代物理研究所 腾谭
射频表面技术室副主任 中国科学院近代物理研究所稿件作者
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重要日期
-
会议日期
11月13日
2020
至11月16日
2020
-
10月31日 2020
提前注册日期
-
11月05日 2020
初稿截稿日期
-
11月16日 2020
注册截止日期
主办单位
中国机械工程学会表面工程分会
承办单位
广东省新材料研究所
北京大学深圳研究生院
现代材料表面工程技术国家工程实验室
北京大学深圳研究生院
现代材料表面工程技术国家工程实验室
联系方式
- 段金弟
- 20******@sina.com
- 139********
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-
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