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前驱体溶胶陈化时间对AACVD法制备FTO薄膜结构及光电性能的影响

FTO薄膜,陈化时间,低辐射,AACVD

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掺氟二氧化锡（FTO）薄膜具有可见光高透过率与良好导电性能的特点，因此得到广泛研究。采用超声雾化辅助气相化学沉积方法（AACVD法），以单丁基三氯化锡为Sn源，氟化铵为F源掺杂剂，在普通浮法白玻上制备FTO透明导电薄膜，并探究该方法前驱体溶胶的溶胶可控化。采用X射线衍射、扫描电镜、椭圆偏振光谱仪、紫外可见光谱、傅里叶红外光谱、四探针等测试方法分析样品，研究了前驱体溶胶经过不同时间陈化后对薄膜微观结构形貌与性能的影响。研究结果表明，随着陈化时间增加至48小时，样品可见光平均透过率由78.13%下降到74.3%，方阻从11.33下降到7.751，辐射率从0.15下降到0.13，但随着陈化时间增加，薄膜的电学性能反而有所下降。