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SOI器件高温特性及其在深地钻探领域的应用研究

SOI, 高温, 深地, 钻探

18、地学仪器与系统 > 专题7：仪器制造与地学应用

SOI（silicon on insulator）器件由于其全介质隔离特性，与传统的体硅器件相比拥有更小的结面积，其高温漏电可比传统体硅器件优1~3个数量级；同时由于其制造工艺与传统体硅工艺兼容，使得其目前已成为高温集成电路的首选器件。本报告主要围绕SOI器件结构，介绍其在高温领域与常规体硅器件差异的机理。在此基础上，进一步汇报中科院微电子研究所在SOI器件、工艺平台、电路产品等方面的进展，特别是其在225℃用芯片及DCDC电源模块、伺服电机驱动模块、最小探测功能电路模块及300℃用器件探索性研究工作等领域的研究进展情况。