586 / 2019-03-20 22:33:51
Equation of state and phase diagram of 4H-silicon carbide investigated by laser shock compression
equation of state, phase diagram, silicon carbide, shock compression
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江涛 李 / 中物院流体物理研究所
秀霞 操 / 中物院流体物理研究所
舒 桦 / 中物院上海激光等离子体研究所
建波 胡 / 中物院流体物理研究所
杨 靖 / 中物院流体物理研究所
张 航 / 中物院流体物理研究所
The equations of state and phase diagram of a fundamental component of planets like silicon carbide is important for building planetary interior models. In this work, the shock Hugoniot states of 4H-silicon carbide single crystal are produced by laser shock compression. The shock velocity is monitored using a velocity interferometer system and the optical emission is collected by a streak optical pyrometer. The experimental Hugoniot data, as well as the theoretical 0-K equation of state data, helps us to construct a more accurate Gruneisen equation of state model. According to this model and the Lindermann relation, a high pressure phase diagram of 4H-silicon carbide can be established.
重要日期
  • 会议日期

    05月29日

    2019

    06月02日

    2019

  • 03月20日 2019

    摘要截稿日期

  • 03月20日 2019

    初稿截稿日期

  • 04月10日 2019

    摘要录用通知日期

  • 06月02日 2019

    注册截止日期

承办单位
北京应用物理与计算数学研究所
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
西安交通大学
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