323 / 2018-07-26 10:55:01

基于SiC MOSFET的变栅极电阻的优化驱动方案

全体主题 > B.各类新型器件的驱动、控制、保护等技术，及其配套件、外壳、散热器、焊接、保护材料等技术

碳化硅（Silicon Carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）与硅（Silicon,Si）材料的MOSFET相比，具有耐压高、导通电阻小、开关速度快等优势。然而，高速开关引发的电压电流过冲和振荡现象较为严重，限制了开关频率的提升，增大了开关损耗，严重情况下还可能损坏器件。本文基于对SiC MOSFET驱动电路开关各阶段振荡等效电路模型的分析，提出了一种基于SiC MOSFET的新型驱动电路方案。该驱动方案在开关的不同阶段切换不同的栅极电阻，既可进一步降低开关损耗，提升开关速度，又不会对过冲和振荡造成过大影响。本文对新型驱动电路在开关不同阶段的电阻选取方案进行了详细分析，并在不同电压电流条件下进行了双脉冲仿真测试，与传统驱动电路进行了比较，结果验证了该新型驱动电路方案的有效性和可行性。