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ID / 提交时间

322 / 2018-07-24 22:48:39

标题

SiC BJT 逆变电路损耗的仿真分析

关键字

主题及专题

全体主题 > C.各种类型的电力半导体电路、拓扑、装置和系统的分析、控制、设计、调试、故障诊断和试验等技术

状态

全文被拒

作者

WenLan / Xi'an University of Technology

ShiWan / Xi'an University of Technology

WanShangXin / Xi'an University of Technology

FuBo / Xi'an University of Technology

PuHongbin / Xi'an University of Technology

摘要

本文利用电路仿真对 SiC BJT 逆变电路的损耗进行定量计算，结果表示 SiC BJT 逆变电路的通态损耗随工作温
度升高而增大，开关损耗基本不受工作温度影响。随着开关频率增大，通态损耗变化较小，开关损耗逐渐增大并成为损耗的
主要部分。在相同结温、功率器件等级相同的条件下将 SiC BJT 逆变电路的损耗与 SiC MOSFET 逆变电路的损耗进行综合
比较，结果表示 SiC BJT 逆变电路的功率损耗比同等级的 SiC MOSFET 逆变电路低。