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ID / 提交时间

313 / 2018-07-19 08:53:18

标题

SiC MOSFET短路承受能力及过流保护方案

关键字

主题及专题

全体主题 > B.各类新型器件的驱动、控制、保护等技术，及其配套件、外壳、散热器、焊接、保护材料等技术

状态

终稿

作者

张军明 / 浙江大学

方跃财 / 浙江大学

崔文韬 / 浙江大学电气工程学院

摘要

以SiC MOSFET为代表的宽禁带半导体器件近年来受到越来越多的关注，将在更多的场合得到应用。然而相比Si IGBT，SiC MOSFET本身的短路承受时间更短及缺少快速、可靠的过流/短路保护措施阻碍了SiC MOSFET的进一步推广。本文设计并实现了一种用于SiC MOSFET的短路性能评估的测试平台，测定了不同门极电压下SiC MOSFET的短路承受能力；同时设计了快速短路/过流保护方案，可以有效实现SiC MOSFET的短路/过流保护。