310 / 2018-07-16 20:09:53

压接式SiC MOSFET寄生电阻分析

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

与传统器件的封装不同，压接式封装利用压力代替键合线接触，大幅度提高了器件的可靠性，并可实现双面散热，但这种多层封装结构也引入了较大的接触电阻，形成很大的导通电阻，从而使器件的导通损耗增大，因此需要分析寄生电阻的组成并研究减小寄生电阻的方法。本文基于一个压接式SiC MOSFET模块，建立了寄生电阻的模型，测量了其导通电阻,由于寄生电阻模型中包含了两个不同物体之间的接触电阻以及从面到面或点到面所形成的电阻，这些电阻不便于直接测量，因此本文结合实际测量并利用ANSYS Q3D进行各部分电阻参数的仿真获得该压接式SiC MOSFET的寄生电阻值。进而分析得到影响压接式SiC MOSFET寄生电阻的主要因素。