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299 / 2018-07-15 21:32:39
基于PSpice的SiC BJT行为建模
全体主题 > H.电力电子电路和系统的建模、仿真和CAD技术
终稿
李佳琪 / 西安理工大学
蒲红斌 / 西安理工大学
青刘 / 西安理工大学
曦王 / 西安理工大学
本文提出了一种基于Pspice的SiC 双极结型晶体管（BJT）建模的新方法，在子电路中采用模拟行为模型（ABM）来表示非线性参数，同时引入了不完全电离对模型进行修正，建立起一个SiC BJT的变温模型。新模型相对于传统模型精度更高，可以比较准确地反映SiC BJT的动、静态特性，可应用于SiC BJT的开关过程分析和电路的设计。
重要日期

  • 会议日期

    10月12日

    2018

    至

    10月14日

    2018

  • 06月30日 2018

    初稿截稿日期

  • 10月14日 2018

    注册截止日期

联系方式
  • 吴莉莉
  • 029*********
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