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长基区少子寿命对SiC光触发晶闸管开通特性的影响研究

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本文采用数值模拟法研究了p长基区少子寿命对SiC光触发晶闸管（LTT）开通特性的影响。重点讨论了850V、1700V和8500V偏压下，少子寿命对SiC LTT延迟时间及通态压降的影响。研究结果表明，LTT正偏压为850V时，当少子寿命从0.13μs增至10μs，开通延迟时间从5.52μs减至1.53μs，且减小趋势渐缓；在LTT正偏压为1700V和8500V电压时，当少子寿命从0.10μs增至10μs时，开通延迟时间分别稳定为1.22μs和0.62μs，几乎不随寿命变化；LTT无论外加偏压高低，通态压降受少子寿命的影响较大，少子寿命从0.1μs增至10μs，通态压降均由7.5V下降到3.15V左右。