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ID / 提交时间

294 / 2018-07-15 21:01:13

标题

一种改进的4H-SiC晶闸管多区JTE结构

关键字

主题及专题

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

状态

终稿

作者

WangYafang / Xi'an University of Technolgy

PuHongbin / Xi'an University of Technology

WangXi / Xi'an University of Technolgy

LiuQing / Xi'an University of Technolgy

摘要

本文提出了适用于超高压4H-SiC晶闸管改进型JTE结构，并通过Sentaurus-TCAD进行仿真分析，实现了13.5kV的耐压（约为理想平面结电压的94%）。与传统三区JTE结构相比，该JTE结构仅需两次嵌套离子注入完成，且利用在JTE3中加入调制环，可在最优剂量范围内，因注入剂量变化而导致击穿电压偏移率从6.7%降低至0.2%的效果。在JTE3外加入浮空区可使最优剂量窗口增加约44%，鲁棒性更好。