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ID / 提交时间

286 / 2018-07-15 17:11:44

标题

基于GaN HEMT的高效率车载充电机设计

关键字

主题及专题

全体主题 > C.各种类型的电力半导体电路、拓扑、装置和系统的分析、控制、设计、调试、故障诊断和试验等技术

状态

终稿

作者

赵文成 / 华中科技大学电气与电子工程学院

刘邦银 / 华中科技大学电气与电子工程学院

李其琪 / 华中科技大学电气与电子工程学院

段善旭 / 华中科技大学电气与电子工程学院

摘要

针对车载充电机高效率以及宽输出电压范围的要求，本文给出了一种两级式车载充电机的设计方案。前级采用基于GaN HEMT的图腾柱无桥PFC实现功率因数校正，后级采用全桥LLC谐振变换器，实现电气隔离和充电控制。本文以效率和输出电压范围为设计目标，详细给出了设计考虑和设计流程，并基于设计结果搭建了一台3.3kW车载充电机实验样机。实验样机输出电压260V-450V，峰值效率97.4%，满载输入电流THD2.42%，验证了设计的合理性。