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ID / 提交时间

284 / 2018-07-15 16:53:13

标题

基于TSEP的IGBT神经网络结温预测

关键字

主题及专题

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

状态

全文被拒

作者

高勇 / 西安工程大学

孟昭亮 / 西安工程大学

马汉卿 / 西安工程大学

摘要

IGBT在实际工作中不独立于电路，其芯片封装在IGBT内部，要实现结温的实时监测非常困难。为准确便捷测量不同工作条件下IGBT的结温，提出了一种基于BP（Back Propagation)神经网络的结温预测模型，并给出了该方案的具体实现办法。通过1200V/75A IGBT的结温提取实验，与不同的功率器件结温提取办法进行对比，结果表明BP（Back Propagation)神经网络预测模型具有非接触性、高灵敏度及无需打开封装的优点。