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278 / 2018-07-15 15:52:29
基于指数变化型场限环的10kV碳化硅二极管的设计与研制
全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术
终稿
龙虎 / 浙江大学
郭清 / 浙江大学
盛况 / 浙江大学
针对碳化硅高压器件中终端区域电场分布的特点，本文分析了高压碳化硅器件终端中的挑战，提出了一种指数型变化的场限环，并通过有限元数值仿真和器件研制，验证了提出终端结构的高耐压能力。经过电学性能表征，研制器件实现了高达10kV的耐压目标。
重要日期

  • 会议日期

    10月12日

    2018

    至

    10月14日

    2018

  • 06月30日 2018

    初稿截稿日期

  • 10月14日 2018

    注册截止日期

联系方式
  • 吴莉莉
  • 029*********
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