摘要详情

ID / 提交时间

236 / 2018-07-12 16:03:41

标题

基于GaN并联电路的特性分析

关键字

主题及专题

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

状态

全文被拒

作者

张卫平 / 北方工业大学

段亚东 / 北方工业大学

侯跃虎 / 北方工业大学

摘要

本文通过LTSpice建立的并联200V/60A GaN的仿真模型，为了探究功率器件氮化镓（GaN）在并联情况下，依据跨导数值公式，分析寄生参数和阈值电压等因素对并联电路的影响情况，得出电流的均流情况和跨导数值对损耗区的面积变化情况与关系。此外，还分析了导通电阻对电路的均流与损耗区变化情况。依据所得结论，给出并联GaN电路的电路设计策略以及驱动电路的设计方法。