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ID / 提交时间

214 / 2018-07-09 21:38:57

标题

双栅结构AlGaN/GaN HEMT的仿真研究

关键字

主题及专题

全体主题 > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

状态

终稿

作者

石黎梦 / 北京大学深圳研究生院

刘美华 / 北京大学深圳研究生院

董宁钢 / 北京大学深圳研究生院

林信南 / 北京大学深圳研究生院

摘要

本文提出一种具备新型双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件，利用MIS栅结构与肖特基栅结构相结合，两种栅结构分别采用不同功函数的金属栅电极，该结构能够提高器件的导通特性，降低泄漏电流并提高击穿电压，利用Sentaurus软件对双栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件进行仿真，分析新型的双栅结构对比传统栅结构的优势，并从电势及电场分布的角度探讨器件性能提升的原理。