摘要清单
我的稿件
325
AlGaN/GaN E-mode MOS-HEMT Using Atomic-Layer-Deposited HfLaO x as Gate Dielectric终稿

Sichao Li, Qianlan Hu, Xin Wang, Mengfei Wang, Yanqing Wu*

全体主题 > Gate dielectrics and surface passivation

238
A novel Nitrogen Passivation method for improving the SiO2/SiC interface properties终稿

Qingwen Song*, TANG Guannan, Xiao-Yan Tang, JIA Yifan, ZHANG Yuming, ZHANG Yimen

全体主题 > Gate dielectrics and surface passivation

236
Study on interfacial properties of SiC MOS with Barium终稿

Jia-Min Jie, Xiao-Yan Tang*, Yu-Ming Zhang, Yi-Fan Jia

全体主题 > Gate dielectrics and surface passivation

226
High Performance Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Diffusion-Controlled Interface Oxidation Technique终稿

Jiejie Zhu*

全体主题 > Gate dielectrics and surface passivation

    4 条记录 1/1页
重要日期

  • 会议日期

    05月17日

    2018

    至

    05月19日

    2018

  • 12月08日 2017

    摘要截稿日期

  • 01月30日 2018

    摘要录用通知日期

  • 02月10日 2018

    初稿截稿日期

  • 02月10日 2018

    终稿截稿日期

  • 05月19日 2018

    注册截止日期

主办单位
IEEE
IEEE ELECTRONIC DEVICE SOCIETY
IEEE POWER ELECTRONIC SOCIETY
中国电源学会
中国半导体产业创新联盟
承办单位
西安交通大学
西安电子科技大学
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